Полевые транзисторы [нужен учебник]

[Smitt&Wesson]

Сообщение от MooNDeaR

Подниму собственную тему, потому как возник небольшой вопрос.

Есть к сессии в билетах 2 вопроса. Первый:

• Схема логического отрицания на полевом транзисторе с p-n переходом и p каналом?

В программе EWB 5.12 собрал вот такую хрень:


Правильно ли это или я что-то упустил? (То, что выглядит как индуктивность - это резисторы, батарейки как источники напряжения).

И, конечно, второй вопрос:
• Ключ на полевом транзисторе с p-n переходом и ‘p’ каналом?

Вот на него я не знаю ответ. И не будет ли ответ на первый вопрос, ответом на второй?

Прежде всего нужно знать, что такое полевой и биполярный транзисторы.
Схема правильная, но параметры входной части подобраны не верно.
Основное преимущество полевых транзисторов в том, что они ведут себя как лампы.
Ток затвора у них чрезвычайно мал, составляет примерно окол нескольких пикоампер. Сопротивление смещения затвора подобрано не верно. Оно должно составлять от 10Ком, до одного мегома (в зависимости от марки ПТ).
Сопротивление нагрузки в 50К Ом, слишком велико. Не будет насыщения p-n перехода, значит не получите усиления. В идеале сопротивление нагрузки для маломощьных ПТ 1-2КОм.

[raxp]

...TC, из библиотеки физического факультета ННГУ вы можете совершенно легально скачать книгу Гуртова "Твердотельная электроника: Учеб. пособие" http://www.unn.ru/search/?text=%C3%F3%F0%F2%EE%E2.

Рекомендую также видео-цикл от Чип&Дип.

Ток затвора у них чрезвычайно мал, составляет примерно окол нескольких пикоампер. Сопротивление смещения затвора подобрано не верно. Оно должно составлять от 10Ком, до одного мегома ()в зависимости от марки ПТ.
Сопротивление нагрузки в 50К Ом, слишком велико. Не будет насыщения p-n перехода, значит не получите усиления. В идеале сопротивление нагрузки для маломощьных ПТ 1-2КОм.

согласен.