Задача о флэшке

[newerow1989]

На сколько изменится масса флэшки, если на нее записать 1 байт информации?

Для справки:
- масса электрона 9,109E-31 кг
- масса протона 1,673E-27 кг
- масса нейтрона 1,675E-27 кг
- атомная единица массы (а.е.м.) 1,661E-27 кг

[Stilet]

А как в флешке устроено хранилище?

[Utkin]

Сообщение от Stilet

А как в флешке устроено хранилище?

На плавающем затворе - область, из которой электроны долго "не убегают"

На сколько изменится масса флэшки, если на нее записать 1 байт информации?

Попутные вопросы:
- сколько электронов в затворе?
- сколько транзисторов с изолированным затвором требуется на 1 байт?

Ну а, дальше первый и второй ответ перемножаем между собой и на массу электрона и будет Вам ответ. Примерный ответ, потому что результат вполне может лежать внутри погрешности из-за дефектов кристаллов полупроводников. Иными словами велика вероятность, что взвешивая флешку с 1 байтом, Вы все равно не сможете определить записано там чего или нет.

[type_Oleg]

А что, флешка с записью заряжена ?

[Utkin]

А что, флешка с записью заряжена ?

В микроуровне понятие заряжена теряет смысл. Там всегда есть электроны. Возникает вопрос - при записи информации меняется ли количество электронов в транзисторах, образующих ячейку памяти.

[type_Oleg]

Я считал, что все это связано лишь с перераспределением зарядов внутри носителя. Электроны с одного места кристалла флешки переползли в другое место, и все. Масса не изменилась. Ну и сумма зарядов осталась =0.

[Utkin]

Я считал, что все это связано лишь с перераспределением зарядов внутри носителя. Электроны с одного места кристалла флешки переползли в другое место, и все. Масса не изменилась.

Наверно, но надо на что-то опереться, какой-нибудь факт.

[f.hump]

всегда думал, что флешка это набор ПТШ с программируемыми затворами. при операции записи создается еффект сильного поля который вызывает поле-стимулированную диффузию компонент метализации в оксид или из оксида, изменяя уровень легирования приповерхностного слоя и еффективно меняя высоту барьера Шоттки затвора. так что масса там не меняется.

На плавающем затворе - область, из которой электроны долго "не убегают"

да, кстати, первые флешки (лет 50 назад) использовали плавающий затвор. сейчас уже все перешли на resistive cell / resistive switch.
в случае плавающего затвора масса тоже не меняется, как было правильно замечено происходит перераспределение носителей заряда, но сама флешка остается нейтральной.

[Алексей_2012]

Электроны хранятся на плавающем затворе (туннелируют на его при подаче положительного напряжения на управляющий затвор) . 1 - определенный заряд. 0 - Все что больше него. Для стирания подается большое отрицательное напряжения на управляющий затвор. И электроны туннелируют на сток. Поэтому масса с информацией теоретически больше массы пустой флешки.

Ну и, для кучи...
изменится на вес электронов, обеспечивших заряд ячеек памяти. В какую сторону изменится, зависит от знака заряда. Величина заряда зависит от физического размера ячейки. Заряд одного электрона поменьше будет.
Электрон в 1800 с чем-то раз легче протона, а протон считаем за атом водорода. Вот моль электронов будет весить 5*10-4 граммов примерно (если ничего не напутал) . Это целый кулон электричества, на заряд пойдёт куда меньше.

[Utkin]

всегда думал, что флешка это набор ПТШ с программируемыми затворами. при операции записи создается еффект сильного поля который вызывает поле-стимулированную диффузию компонент метализации в оксид или из оксида, изменяя уровень легирования приповерхностного слоя и еффективно меняя высоту барьера Шоттки затвора. так что масса там не меняется.

Это ответ из книжки. Так обычно пишут боты, которые не понимают смысл написанного. Вопрос - за счет чего меняется уровень легирования? Какие примеси меняют физические свойства? Вот и думайте теперь.